Formation of uniquely oriented VO2 thin film by topotactic oxidation of V2O3 epitaxial film on R-plane Al2O3
高配向の VO2 膜は、室温付近（約67℃）で金属絶縁体転移（MIT）を起こすことから、次世代の電子・光デバイス材料として有望視されている。高配向 VO2 膜…
論文の概要
Tungsten(II) Chloride Hydrates with High Solubility in Chloroaluminate Ionic Liquids for the Electrodeposition of Al–W Alloy Films
1-エチル-3-メチルイミダゾリウムクロリド(EMIC)-AlCl3 に代表されるクロロアルミネート系イオン液体を用いた Al 合金の電析が、表面処理技術とし…